Search Results (All Fields:"modelo", Author:"Carlos de Mora Buendía", isMemberOf:"bibliuned:Setopenaire")

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Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 378 79
Modelo Ebers-Moll. Variac. en la I de saturación. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 368 87
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión inverso. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 374 95
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica B-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 361 99
Modelo de fuente real de corriente. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 338 71
Modelo de contínua del diodo. Variación de la resistencia R1 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 372 71
Modelo ideal del amplificador operacional. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 462 89
Modelo analítico del diodo. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 343 70
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 367 93
Simulación Problema P7.6 Modelo en pequeña señal del circuito del apart. b) (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 343 74
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. de emisión directo. Característica C-E (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 403 83
Modelo de alterna del diodo. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 343 68
Modelo analítico del diodo. Variación del coeficiente de emisión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 535 111
Solución gráfica del modelo analítico del diodo (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 551 71
Modelo de contínua del diodo. Variación de la resistencia R2 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 359 78
Transistor FET. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 1232 127
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta inverso. Característica C-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 378 85
Transistor bipolar. Modelo de pequeña señal en alta frecuencia. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 725 112
Modelo de fuente real de tensión. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 390 80
Modelo de contínua del diodo. Variación de la tensión V1 (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 344 71
Modelo de contínua del diodo. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 360 85
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica colector-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 599 116
Diodo ideal. Modelo SPICE. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 1035 171
Modelo Ebers-Moll. Variac. del coef. beta directo. Característica B-E. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 382 81
Modelo de gran señal del transistor NPN. Característica base-emisor. (Requiere Plataforma MicroCAP 9.0 ó superior)  1.41 503 102